三星电子刚刚宣布，其已开始生产业界首批 100 层 V-NAND 闪存，并计划在企业级 PC SSD 上采用。这家韩国科技巨头称，基于 256Gb 3-bit V-NAND 闪存的 SSD，已开始向全球 PC 制造商供货。鉴于 100 层 V-NAND 闪存单元只需经过单次蚀刻，新产品可兼顾速度、产量和能源效率，在市场上占据领先优势。
资料图（来自：Samsung，via ZDNet）
外媒 ZDNet 报道称，三星已经向某个未透露名称的客户供应 250GB SATA PC SSD。
该公司将在今年下半年提升产能，并使用 512Gb 3-bit V-NAND 闪存来生产 SSD 和 eUFS 产品，以满足各种规格的新需求。
三星表示，其 100 层或第 6 代 V-NAND 闪存的写入延迟低至 450μs、读取响应时间为 45 μs 。
与 90 层 V-NAND 闪存相比，100 层 V-NAND 闪存不仅性能提升 10％，功耗还降低了 15% 。此外新工艺减少了生产步骤、缩减了芯片尺寸、并提升了 20% 的产量。
展望未来，三星计划在移动和汽车领域部署全新的 V-NAND 闪存，以巩固其在闪存市场的领导地位。
此前，这家韩国科技巨头曾警告，在 2 季度财报发布前，该公司业绩表现仍存在着持续的不确定性，其中就包括日韩之间贸易摩擦所带来的紧张局势。
本周早些时候，日本将韩国从其贸易伙伴白名单中剔除，并于上月对用于半导体生产的关键材料实施贸易限制。
尽管同在韩国的 SK 海力士，其领导层曾下令企业制定应急方案。但三星似乎并没有那么慌张，而是决定继续在今年下半年进一步投资生产。
最后，鉴于内存业务利润和需求的大幅下滑，预计该公司二季度运营利润会较去年同期削减一半。
